에버스핀테크놀러지스(MRAM, EVERSPIN TECHNOLOGIES INC ), 9.25백만 달러 계약 체결로 MRAM 기술 제공

14일 미국 증권거래위원회에 따르면 에버스핀테크놀러지스가 2024년 8월 14일, 프론트그레이드 테크놀로지스와의 새로운 전략적 계약을 발표했다.
이 계약에 따라 에버스핀은 혁신적인 PERSYST MRAM 기술, 논리 설계 및 후공정 제조 서비스를 제공하여 프론트그레이드의 미래 제품에 사용될 전략적 방사선 내성(SRH) 고신뢰성 eMRAM 매크로의 개발 및 시연을 지원한다.

에버스핀의 사장 겸 CEO인 산지브 아가르왈은 "에버스핀은 프론트그레이드와 맞춤형 방사선 내성 스핀 전이 토크 MRAM 프로그램을 진행하게 되어 기쁘다"고 밝혔다.

이 프로젝트는 MRAM의 사용과 가용성을 방위 및 항공 우주 방사선 내성 사용 사례로 확대할 예정이다.
이 이니셔티브는 현재 및 미래의 국방부(DoD) 전략 및 상업 우주 시스템 요구 사항을 지원한다.

이 계약은 미네소타주 블루밍턴의 스카이워터 RH90 CMOS와 애리조나주 챈들러의 에버스핀 후공정 MRAM 프로세스를 사용하여 제조된다.

계약은 에버스핀테크놀러지스에 대해 여러 해에 걸쳐 총 9.25백만 달러에 달하는 단계별 지급을 허용하며, 현재 에버스핀과의 단계는 약 1.25백만 달러로 평가된다.
이 단계의 성공적인 수행 후, 미국 정부의 재량에 따라 향후 선택적 단계의 수여가 가능하다.

에버스핀테크놀러지스는 세계 최고의 자성 저항 RAM(MRAM) 제공업체로, 산업 IoT, 데이터 센터 및 데이터 지속성이 중요한 기타 미션 크리티컬 애플리케이션을 위한 가장 강력하고 높은 성능의 비휘발성 메모리를 제공한다.본사는 애리조나주 챈들러에 위치하며, 다양한 고객에게 상용 MRAM 솔루션을 제공한다.


※ 본 컨텐츠는 AI API를 이용하여 요약한 내용으로 수치나 문맥상 요약이 컨텐츠 원문과 다를 수 있습니다. 해당 컨텐츠는 투자 참고용이며 투자를 할때는 컨텐츠 원문을 필히 필독하시기 바랍니다.

미국증권거래소 공시팀